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R-PECVD真空旋轉等離子增強CVD設備（1200℃單溫區 4路MFC）設備由旋轉及傾斜機構、單溫區管式爐、等離子發生機構、質量流量計供氣系統、高真空分子泵組等部分構成。
特點：
1. 相比于其他的石墨烯制備設備，能提供更高的基底真空，提高產物質量；2. 能夠利用旋轉和傾斜機構實現連續生產，使顆粒型樣品表面均勻生長產物；
3. 等離子發生裝置能夠顯著降低反應溫度，提高反應效率。
技術參數：
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單溫區管式爐 |
產品型號 |
CY-OTF-1200X-I-PEC4 |
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爐管材質 |
高純石英 |
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爐管直徑 |
100mm |
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爐管長度 |
1500mm |
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爐膛長度 |
440mm |
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加熱區長 |
400mm |
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恒溫區長 |
200mm |
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工作溫度 |
0～1100℃ |
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控溫精度 |
±1℃ |
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控溫模式 |
30段或50段程序控溫 |
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顯示模式 |
高清全彩LCD觸控屏 |
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密封方式 |
304不銹鋼真空法蘭 |
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供電電源 |
AC:220V 50/60Hz |
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RF輸出系統 |
功率范圍 |
0~500W可調 |
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工作頻率 |
13.56MHz+0.005% |
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工作模式 |
連續輸出 |
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匹配阻抗模式 |
能夠匹配，起輝均勻布滿爐管 |
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功率穩定度 |
≤2W |
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正常工作反射功率 |
≤3W |
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放大反射功率 |
≤70W |
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諧波分量 |
≤-50dBc |
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整機效率 |
≥70% |
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功率因素 |
≥90% |
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供電電壓/頻率 |
單相交流（187V~153V） 頻率50/60Hz |
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控制模式 |
內控/PLC 模擬量/RS232/485通訊 |
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電源保護設置 |
DC過流保護，功放過溫保護，反射功率保護 |
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冷卻方式 |
強制風冷 |
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起輝長度 |
在Ar下射頻電源與線圈配合起輝輝光能布滿爐管 |
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供氣系統 |
流量計 |
四路質子流量計 |
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流量范圍 |
MFC1量程：0~200sccm MFC2量程：0~200sccm MFC3量程：0~500sccm MFC4量程：0~500sccm 分別對應氣體H2、 CH4、 N2、 Ar. |
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測量精度 |
±1.5%F.S |
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重復精度 |
±0.2%FS |
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線性精度 |
±1%F.S. |
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響應時間 |
≤4s |
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工作壓力 |
-0.15Mpa~0.15Mpa |
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流量控制 |
液晶觸摸屏控制，數字顯示，每路氣體含有針閥單獨控制 |
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進氣接口 |
可接1/4NPS或者外徑6mm不銹鋼管 |
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出氣接口 |
可接1/4NPS或者外徑6mm不銹鋼管 |
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連接方式 |
雙卡套接頭 |
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工作溫度 |
5~45℃ |
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氣體預混 |
配氣體預混裝置 |
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排氣系統
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產品型號 |
CY-GZK103-A |
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分子泵 |
渦輪分子泵 |
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前級泵 |
雙級旋片泵 |
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抽氣速率 |
分子泵：600L/S |
綜合抽氣性能：30分鐘真空度可達：5×10E-3Pa |
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旋片泵：1.1L/S |
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極限真空 |
5×10E-4Pa |
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抽氣接口 |
KF40 |
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排氣接口 |
KF16 |
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真空測量 |
復合真空計 |
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旋轉及傾斜裝置 |
轉速范圍 |
0-20rpm |
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傾斜角度 |
0-15° |
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進出料 |
自動進料，傾斜后可自動集料 |
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