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1200℃RTP退火爐是一款12寸片快速退火爐，采用革新的加熱技術，可實現真正的基底溫度測量，不需要采用傳統快速退火爐的溫度補償，溫度控制**，溫度重復性高，客戶包括國際上許多半導體公司及知名科研團隊，是半導體制程退火工藝的理想選擇。
技術特色：
? 真正的基片溫度測量，無需傳統的溫度補償
? 紅外鹵素管燈加熱
? 極其優異的加熱溫度**性與均勻性
? 快速數字PID溫度控制
? 不銹鋼冷壁真空腔室
? 系統穩定性好
? 帶觸摸屏的PC控制
? 兼容常壓和真空環境，真空度標準值為5×10-3Torr，采用二級分子泵真空度低至5×10-6Torr
? *高3路氣體（MFC控制）
? 沒有交叉污染，沒有金屬污染
技術參數：
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產品名稱 |
1200℃RTP退火爐 |
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產品型號 |
CY-RTP1000-Φ300-T |
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基片尺寸 |
12英寸 |
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基片基座 |
石英針（可選配SiC涂層石墨基座） |
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溫度范圍 |
150-1200℃ |
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加熱速率 |
10-150℃/S |
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溫度均勻性 |
≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor) |
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溫度控制精度 |
≤ ±3℃ |
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溫度重復性 |
≤ ±3℃ |
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真空度 |
5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr |
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氣路供應 |
標準1路N2吹掃及冷卻氣路，由MFC控制（*多可選3路） |
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退火持續時間 |
≥10min@1200℃ |
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溫度控制 |
快速數字PID控制 |
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尺 寸 |
890mm*950mm*1400mm |
