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鹵素燈RTP立式快速退火爐是一款8寸片快速退火爐，采用革新的加熱技術(shù)，可實現(xiàn)真正的基底溫度測量，不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補償，溫度控制**，溫度重復性高，客戶包括國際上許多半導體公司及知名科研團隊，是半導體制程退火工藝的理想選擇。
鹵素燈RTP立式快速退火爐技術(shù)參數(shù)：
產(chǎn)品名稱
鹵素燈RTP立式快速退火爐
產(chǎn)品型號
CY-RTP1000-Φ200-300-V-T
基片尺寸
8英寸
基片基座
石英針（可選配SiC涂層石墨基座）
溫度范圍
150-1250℃
加熱速率
10-150℃/S
溫度均勻性
≤±1.5% (@800℃,
Silicon wafer)
≤±1.0% (@800℃, Substrate
on SiC coated graphite susceptor)
溫度控制精度
≤ ±3℃
溫度重復性
≤ ±3℃
真空度
5.0E-3
Torr / 5.0E-6 Torr
氣路供應(yīng)
標準1路N2吹掃及冷卻氣路，由MFC控制（*多可選3路）
退火持續(xù)時間
≥35min@1250℃
溫度控制
快速數(shù)字PID控制
尺寸
900mm*650mm*1600mm
