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- 其他產品
單室磁控濺射鍍膜儀設備用途：
用于納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備。可廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料科研與小批量制備。
單室磁控濺射鍍膜儀技術參數：
真空室
圓型真空室，尺寸? 450×50mm
真空系統配置
復合分子泵、機械泵、閘板閥
極限壓力
≦6.67*10-5 Pa （經烘烤除氣后）
恢復真空時間
40 分鐘可達到6 .6*10-4 Pa 。（系統短時間暴露大氣并充入干燥氮氣后開始抽氣）
磁控靶組件
永磁靶三套；靶材尺寸?60mm（其中一個可濺射磁性材料）；各靶射頻灘射和直流裁射兼容；靶內水冷；三個靶可共同折向上面的樣品中心；靶與樣品距離 90~110mm可調；當直接向上濺射時，靶與樣品距離40~80mm可調
基片水冷加熱公轉臺
基片結構
基片加熱與水冷獨立工作，取下加熱爐可以換上水冷基片臺
樣品尺寸
?30mm
運動方式
基片可連續回轉，轉速 5~10 轉／分
加熱
基片加熱*高溫度600℃±1℃
基片負偏壓
－200V
氣路系統
質 量 流 量 控制器 2 路
計算機控制系統
控制樣品轉動，擋板開關，靶位確認等
可選配件6工位基片加熱公轉臺
拆下單基片水冷加熱臺可以換上該轉臺。可同時放置6片30mm的基片；6個工位中，其中一個工位安裝加熱爐，其余工位為自然冷卻基片臺；基片加熱*高溫度600℃ ±1℃
設備占地面積
主機
I300×800mm2
電控柜
70×700m2
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