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- 環(huán)境模擬試驗(yàn)設(shè)備
- 實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)品配件
- 實(shí)驗(yàn)室鍍膜耗材
- 其他產(chǎn)品
CY-in-line磁控濺射系統(tǒng)設(shè)備用途：
用于在晶體硅表面沉積金屬薄膜（Al、Ag、Ni、Cu、Ti、Pd等），并能夠?qū)崿F(xiàn)反應(yīng)濺射，可完成高、低真空下磁控濺射鍍膜工藝，具備較大尺寸和多種尺寸規(guī)格的晶體硅光伏電池薄膜的連續(xù)制備能力。
CY-in-line磁控濺射系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)：
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型號(hào) |
CY-in-line |
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主濺真空室 |
方形真空室，尺寸? 1000×700×350mm |
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進(jìn)樣室 |
圓筒型，臥室，尺寸? 250×420mm |
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真空系統(tǒng)配置 |
分子泵與機(jī)械泵，閘板閥 |
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極限壓力 |
主濺射室 |
≦8*10-5Pa（經(jīng)烘烤除氣后） |
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進(jìn)樣室 |
≦6.6*10-4Pa（經(jīng)烘烤除氣后） |
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恢復(fù)真空時(shí)間 |
主濺射室 |
40分鐘可達(dá)到6.6*10-4Pa（系統(tǒng)短時(shí)間暴露大氣并充干燥氮?dú)忾_(kāi)始抽氣） |
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進(jìn)樣室 |
40分鐘可達(dá)到6.6*10-3Pa（系統(tǒng)短時(shí)間暴露大氣并充干燥氮?dú)忾_(kāi)始抽氣） |
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磁控靶組件 |
矩形靶尺寸約450*45mm；靶與樣品距離80mm可調(diào)
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基片加熱臺(tái) |
基片結(jié)構(gòu) |
尺寸125*125mm或156*156mm，可一次安裝4片樣品 |
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加熱溫度 |
室溫~400Ｃ±2 C，可控可調(diào) |
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氣路系統(tǒng) |
質(zhì)量流量控制器3路 |
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設(shè)備占地面積 |
主機(jī) |
2655 * 930mm2 |
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電控柜 |
700 *700mm2（兩個(gè)） |
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