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電子束蒸發鍍膜儀設備用途：
用于制備導電薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、光學薄膜等，廣泛應用于大專院校、科研機構的科研及小批量生產。
電子束蒸發鍍膜儀技術參數：
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結構形式 |
真空室采用U型箱體前開門，后置抽氣系統 |
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真空室 |
500×500×600mm2 |
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真空系統配置 |
復合分子泵、機械泵、閘板閥 |
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極限壓力 |
≤6. 67×10-5Pa (經烘烤除氣后）； |
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恢復真空時間 |
45分鐘可達到6. 67×10-4Pa (系統短時間暴露大氣并充干燥 氮氣后） |
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電子束 蒸發源 |
e型電子槍 |
陽極電壓：6kv、8kv; |
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數量（套） |
1 |
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坩堝 |
水冷式坩堝，四穴設計，每個容量11ml |
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功率 |
0一6 KW可調 |
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電阻蒸發源 (可選） |
電壓 |
5、10V |
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功率 |
電流300A，*大輸出功率3KW |
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數量 |
1套，可切換 |
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水冷電極 |
3根，組成2個蒸發舟 |
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工件架類型及尺寸 |
基片尺寸：可放置4”基片，加熱zui高溫度800℃±1℃ ,基片可連續回轉，轉速5~60轉/分 基片與蒸發源之間距離300~350mm可調，手動控制樣品擋板組件1套 |
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氣路系統 |
200SCCM質量流量控制器1路 |
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石英晶振膜厚控制儀 |
監測膜厚顯示范圍：0~99 u 9999A; |
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設備占地面積 |
主機 |
900×800mm2 |
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電控柜 |
800×800mm2 (兩個） |
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